非晶态Ge2Sb2Te5相变材料被视为非易失性存储器的原型材料，因为它具有从非晶态到晶体转变的纳秒级可逆性乐橙体育平台乐橙体育平台。在这种情况下，原子自扩散动力学对相变材料的结晶过程和开关行为具有重要影响。因此乐橙体育平台，了解原子自扩散乐橙体育平台乐橙体育平台，尤其是无定形相中的原子自扩散乐橙体育平台，对于应用以及快速和可逆转换行为的一般理解都非常重要。然而，

　　图 1.（a）扩散样品示意图；（b）沿 y 轴的122Te 厚度；（c）沿 x 轴的 122Te 厚度乐橙体育平台。

　　图 5. 通过 ToF-SIMS 获得的 122Te 成分剖面图 (a) 所有样品的剖面图；(b) 初始样品（左）和在 320 K 退火 420 分钟后（右）的分解剖面图乐橙体育平台乐橙体育平台乐橙体育平台。在（b）中乐橙体育平台乐橙体育平台乐橙体育平台，插图是每个样品相应的 128Te 剖面图。

　　图 8. 图中显示了本研究中测定的 Te 自扩散到非晶 GST 中的温度依赖性（三角形和蓝线）与非晶 Si（圆圈和红线）和非晶 Ge（正方形和黑线）中的自扩散率的比较乐橙体育平台乐橙体育平台乐橙体育平台。扩散系数是反绝对温度（a）和反 Tg 温度（b）的函数乐橙体育平台乐橙体育平台，Tg 是相应材料的玻璃转化温度。

　　本研究利用高富集122Te 同位素进行 ToF-SIMS 分析乐橙体育平台，首次测量了无定形 GST 薄膜中 Te 的自扩散乐橙体育平台乐橙体育平台。均匀的 GST 层是通过磁控溅射合成的乐橙体育平台乐橙体育平台。XRD 和 NBDPs 的结合证明乐橙体育平台，122Te 沉积或随后的扩散热处理均未诱发结晶乐橙体育平台乐橙体育平台。测量了 10- 24 到 10- 20 m2/s 的自扩散系数乐橙体育平台乐橙体育平台，发现它们在室温和 353 K 之间呈阿伦尼乌斯型依赖关系，碲自扩散的活化能为 1.43±0.08 eV乐橙体育平台。与其他非晶体系相比乐橙体育平台，GST 中 Te 扩散的活化能明显较低乐橙体育平台，但如果按玻璃转化温度归一化乐橙体育平台，则与非晶硅或 Ge 中的活化能相似乐橙体育平台乐橙体育平台乐橙体育平台乐橙体育平台。（文：SSC）

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